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Vishay 新款 30V MOSFET 具有高功率密度和高效率等特性,适用于移动设备和消费电子

日前,Vishay 发布了新的 30V N 沟道 TrenchFET® 第四代功率 MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ 采用超小尺寸 PowerPAK® SC-70 封装,是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的 2mm x 2mm 塑料封装的 30V 器件。


这次发布的 MOSFET 是目前尺寸最小的 30V 产品之一,比 PowerPAK 1212 封装的器件小 60%,在笔记本电脑、平板电脑、VR 头盔和 DC-DC 砖式电源,无线充电器中的H桥,以及无人机的电机驱动控制中,可用于 DC/DC 转换和电池管理的负载切换。


SiA468DJ 在 10V 和 4.5V 下具有 8.4mΩ 和 11.4mΩ 的极低导通电阻,在这些应用中能减小传导损耗,提高效率。其导通电阻比前一代产品低 51%,比最接近的竞争产品低 6%。另外,MOSFET 的优值系数(FOM)针对各种功率转换拓扑进行了优化。


SiA468DJ 的连续漏极电流高达 37.8A,比前一代器件高 68%,比最接近的竞争产品高 50%。高漏极电流为会碰到高瞬变电流的应用产品提供了足够的安全余量。MOSFET 进行了 100% 的 RG 测试,符合 RoHS,无卤素。


SiA468DJ 现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十三周。


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